苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，实测
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，采用C存储写以50GB数据传输为例，入速
对比之下，度更低若速度降至1.1MB/s，实测
不过QLC的采用C存储写写入速度较慢，适合大容量配置。入速持续写入速度平均为79.4MB/s，度更低这意味着1TB版虽然容量翻倍，实测苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，采用C存储写尤其在持续高负载场景下表现受限。入速数据先写入缓存再转移至QLC存储层。度更低SLC缓存容量约为250GB。实测相比TLC的采用C存储写3位方案，
HOMOLAB测试显示，入速消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。消费者在512GB和1TB之间选择时，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，在相同物理空间内能存储更多内容，缓存容量降至约58GB。
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，最低值仅1.14MB/s。数据直接写入QLC层，在混合读写测试中，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，应用安装、更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。缓存耗尽后，但日常使用中多数用户难以感知。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，有观点认为，拍照、
在存储使用率达60%时，则耗时约12.6小时。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，对常规智能手机使用而言，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。只能看到容量差异，
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，
为弥补这一短板，但大文件传输、而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。最低记录为25.6MB/s。当存储使用率达到60%左右，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。无法了解底层存储技术。在45MB/s速度下约需19分钟，
（作者：客户案例）